IGBT与可控硅的区别

IGBT与可控硅的区别请教各位专家一下：
可控硅、固态继电器、场效应管、IGBT都有哪些本质的区别呢？
就用领域有什么区别呀？？


-------这样的基础问题，还是百度下比较好吧，工作原理，应用什么的都讲的很清楚。


-----确实是，百度一下就清除了，但是在讲的时候也容易把IGBT和可控硅搞错。


------可控硅是半控器件，加正电压同时给门控电压时导通，关断则反电压即可。
IGBT是全控器件，仅栅极既可以控其通断。


------这是仅仅是它们二者的特性之一。二者还有一个显著的特性区别：可控硅的开关速度很低，IGBT的很高。可以脉宽调制控制，可控硅不行。只能做移相触发。


-----以前一直都不知道。


-----啊？《电力电子电路基础》与《晶体管电路》这些都是自动化专业的基础课程呀，没学吗


--------可控硅：
1、分为单向可控硅与双向可控硅。常见的是单向可控硅。
2、电流触发（脉冲）。关断条件：阳极与阴极电流小于“维持电流”或阳极与阴极间加反向电压。
3、只能用于通、断（开/关）控制。开关频率低。下图是单向可控硅等效原理（等效为两个三极管）：4、主要用于：调压、整流、软起动器、固态继电器.....
5、一般控制脉动直流（或类似于）或交流。
固态继电器：
1、分为开关型（是：无触点开关）与调压型（可以根据驱动信号的电压控制导通角，调节电压）两种。
2、它是单向可控硅（或双向可控硅）与触发电路集成在一起的产物。
3、开关频率低，一般用于低频电路。
4、主要用于：自动控制系统的控制执行元件、电加热控制元件、调压、代替中间继电器、、、、、、
场效应管：
1、又名：场效应三极管。
2、是一种压控元件（全控）。输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流。
3、工作状态：截止（关断）状态、放大状态、饱和状态。
4、工作（开关）频率高、饱和压降非常小。
5、主要用于：中小功率开关电源、放大（如：高保真音频放大）、逆变、控制直流或脉动直流的开关、、、、、用处非常广。
IGBT：
1、可以等效为（或理解为）：场效应管与大功率三极管组成的复合管。
2、特性类似于场效应管。输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。
3、开关频率较高，耐压高、通流能力强（额定电流大）。
4、主要用于：变频器（逆变）、电磁炉，中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源、、、、、
以上所提这些并不全面，只是一部分。详见6楼K版提到的：《电力电子电路基础》与《晶体管电路》等相关资料。

IGBT与可控硅的区别

------IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点


------百度下比较好吧，工作原理，应用什么的都讲的很清楚。