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IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏
igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻，对于正常的igbt管（正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管正常时，e、c极间均有4kw正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kwl左右，则所测管为含阻尼二极管的igbt管，若所测值在50kw左右，则所测igbt管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，igbt管的c、c极问正向压降约为0.5v。
综上所述，内含阻尼二极管的igbt管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，
其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得igbt管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得igbt管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中igbt管多为击穿损坏。为使保护正常输出，不使用的保护必须拉为高电平（对脚1），或是通过电容接地（对脚8）。
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万用表如何判断IGBT的好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
万用表检测IGBT管的C--E极：
1、红表笔接C极黑表笔接E极（指带有阻尼管的），应该有正向导通电阻值。
2、反向测量C--E不通（无穷大的电阻值）。
3、其它各管脚间应该无穷大（不通）。
4、 IGBT管型号尾部带D的是有阻尼管的。
IGBT管型号尾部不带D的是无阻尼管的。
如何检测IGBT
判断极性 ：
将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。
判断好坏 ：
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
功率场效应管直流参数分选仪
主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。
一、简介：
1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法，可以提供10A~最大75A以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用最大电流测量小容量管子，也不会损害被测管。
4、可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、操作简单，只按测试按钮，就可以得到4项主要参数。
二、主要指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron 1~999mΩ (超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
跨导Gfs 0~99.9S
开启电压Ut 1~7.5V
极间电容Cir 0.1~9.9 (np)
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
a、Cir 1% nP精度；
b、Ut 1%V 精度；
c、测量Ron时的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED显示。
4、采用工业开关电源，可以在160V~230V 正常工作。
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